2022 · 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR102349105B1. 이미지 센서가 제공된다. 본 기술은 성능이 향상된 이미지 센서를 제공한다. CMOS 이미지센서 국내 제조 생태계도 관심을 가질 때입니다 삼성전자는 이미지 센서 기술 확보와 함께 생산 … 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR20210064687A. 이미지 센서 및 전자 장치 Download PDF Info Publication number KR20190094580A. 본 발명의 실시예에서는, 설명의 편의를 위해, CMOS . 전자를 직접 전송하는 CCD 이미지센서와는 달리, CMOS형 이미지센서는 화소에서 신호전자가 바로 전압으로 변환된다. 이미지 센서, 전하 운송 게이트, 블루밍, 다크 전류 KR20080105812A - Cmos 이미지 센서 - Google Patents Cmos 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR20080105812A. 따라서 화소마다 몇 개씩의 트랜지스터가 필요하게 … 본 발명은 비닝 동작에 따른 이미지 센서 크기 증가는 최소화시키면서 이미지 화질은 개선할 수 있는 이미지 센서에 관한 것으로, 상기 이미지 센서는 다수의 픽셀과 샘플링부간 신호 경로를 제어하며, 일반 동작시에는 상기 다수의 픽셀의 출력을 로우 단위로 상기 다수의 샘플링부에 제공하고 . 예를 들어 가장 친밀한 것으로 말하면 스마트 폰이나 디지털 카메라 네요. 이미지 센서는 기판의 활성 영역 내에서 기판의 깊이 방향을 따라 연장되는 수직 게이트부를 포함하는 트랜스퍼 트랜지스터와, 활성 영역 내에서 기판의 상면으로부터의 깊이가 서로 다른 위치에 형성되어 있는 복수의 포토다이오드 영역과 . 칼라 조정 경로 영역을 가지는 이미지 센서를 개시한다.
팩시밀리 나 복사기 에 사용되는 라인 이미지 센서 (일차원 이미지 센서)와 텔레비전 카메라 나 디지털 카메라 에 사용되는 어레이 이미지 센서 (이차원 이미지 센서)가 있다. 본 발명의 기술적 사상에 따른 이미지 센서는, 서로 대향하는 상면 및 하면을 가지는 기판, 상면에 수직 방향으로 이격되어 기판 내에 배치되고 광전 변환 영역을 정의하는 제1 분리 영역, 하면으로부터 수직 방향으로 제1 분리 영역까지 기판 내에 배치되는 제2 분리 영역, 광전 변환 영역에서 상면 . 2000만 화소 CMOS와 안정적으로 에지를 검출할 수 있는 . 이미지 센서는 빛을 감지해서 그 세기의 정도를 디지 털 영상 데이터로 변환해 주는 부품으로 몇 번의 변환 과 2021 · Classifications. 본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로서 좀 더 상세하게는 입력 이미지를 일정 비율로 서브 샘플링하는 장치에 관한 것이다. 그것이 센서의 역할입니다.
본 발명은 크랙 및 파티클 등의 결함 발생 없이 이미지센서를 제조하는 방법을 제공하는데 그 목적이 있는 것으로, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이미지센서 제조방법은, 기판상에 일련의 이미지센서 소자들을 형성하는 단계; 소자보호막을 형성하는 단계: 수광영역과 비수광영역의 경계 . 이미지 센서가 개시된다. 2019 · CIS 센서성능판단주요Factor 1. 이미지 센서가 제공된다. 이미지 센서는 여러분의 가까이의 모든 곳에서 사용되고 있습니다. 이미지 센서는 반도체 기판, 반도체 기판 내에 형성되고, 입사광에 대응하여 전하를 축적하는 다수의 광전 변환부, 다수의 광전 변환부 주변에 형성된 지지체, 반도체 기판 상에 형성되고, 다수의 광전 변환부에 대응되는 영역에 다수의 오목홈을 구비하는 절연막 .
الخطوط الجوية العراقية دبي KR100698081B1 . 2022 · 본 기술은 이미지 센서에 관한 것으로, 실시예에 따른 이미지 센서는 복수의 픽셀블럭들이 배열된 픽셀 어레이를 포함하고, 상기 복수의 픽셀블럭들 각각은, 플로팅디퓨전을 공유하는 복수의 단위픽셀들을 포함하는 수광부; 리셋 트랜지스터를 포함하는 제1구동부; 및 상기 제1구동부에 인접하고 . <표 1>에 CCD와 CMOS 이미지 소자 기본 구조 비교가 되어 있다. . H — ELECTRICITY; H01 — ELECTRIC ELEMENTS; H01L — SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10; H01L27/00 — Devices consisting of a plurality of semicond 2018 · 그래서 영상 처리를 영어로 Image Processing이라 한다. 이미지 센서는 반도체 기판, 반도체 기판 내에 형성된 광전 변환부, 반도체 기판 내에 형성된 전하 검출부, 광전 변환부와 전하 검출부 사이에 형성되고 광전 변환부 방향의 포텐셜 베리어 피크가 전하 검출부 방향의 포텐셜 베리어 피크보다 높은 전하 전송부를 .
복수의 광 감지 소자들은 반도체 기판의 상부 영역에 서로 이격되어 형성된다. 이미지 센서는, 기판, 기판 상에 배치되며, 칼코겐 화합물을 포함하는 제1 물질막 및 제1 물질막에 연결되며, 상기 제1 물질막의 전기적 변화를 검출하는 검출부를 포함한다. KR20180060309A KR1020160159663A KR20160159663A KR20180060309A KR 20180060309 A KR20180060309 A KR 20180060309A KR 1020160159663 A KR1020160159663 A KR 1020160159663A KR 20160159663 A KR20160159663 A KR 20160159663A KR … 스크라이브, 테스트 패턴, 리얼 칩, 이미지 센서 KR100698081B1 - 이미지 센서 - Google Patents 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR100698081B1. 실시 예는 제1 도전형 반도체 기판에 형성되는 포토다이오드 영역, 상기 제1 도전형 반도체 기판 상에 상기 포토다이오드 . (해결 수단) 인접하는 포토 다이오드 사이에 레이저로 개질층을 만들고, 재결합 준위를 발생시켜, 화소간 크로스 . 이러한 본 발명은 하나의 오픈픽셀에 의해 발생하는 복수의 차광픽셀들의 크로스 토크 성분의 값을 각각 측정하는 복수의 단위 테스트 패턴들을 포함하는 픽셀 어레이, 복수의 단위 테스트 패턴들에 . KR20200038147A - 이미지 센서 - Google Patents 집적도가 향상된 이미지 센서가 제공된다. KR20200077652A KR1020180166111A KR20180166111A KR20200077652A KR 20200077652 A KR20200077652 A KR 20200077652A KR 1020180166111 A KR1020180166111 A KR 1020180166111A KR 20180166111 A KR20180166111 A KR 20180166111A KR … 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR20190086283A. 본 발명은 이미지 센서 모듈에 관한 것으로, 이미지 센서 모듈을 사용하는 제품의 소형화를 달성하기 위하여 이미지 센서 모듈의 횡방향 크기를 감소시키기 위한 것이다. 본 발명에 따른 이미지 센서 모듈에서 모듈 하우징은 모듈 기판과 ….7−inch CMOS digital image sensor with a 3848 H x 2168 V active−pixel array. Raw Data와 Bayer Filter의 원리 (0) 2018.
집적도가 향상된 이미지 센서가 제공된다. KR20200077652A KR1020180166111A KR20180166111A KR20200077652A KR 20200077652 A KR20200077652 A KR 20200077652A KR 1020180166111 A KR1020180166111 A KR 1020180166111A KR 20180166111 A KR20180166111 A KR 20180166111A KR … 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR20190086283A. 본 발명은 이미지 센서 모듈에 관한 것으로, 이미지 센서 모듈을 사용하는 제품의 소형화를 달성하기 위하여 이미지 센서 모듈의 횡방향 크기를 감소시키기 위한 것이다. 본 발명에 따른 이미지 센서 모듈에서 모듈 하우징은 모듈 기판과 ….7−inch CMOS digital image sensor with a 3848 H x 2168 V active−pixel array. Raw Data와 Bayer Filter의 원리 (0) 2018.
KR20200105584A - 이미지 센서 - Google Patents
즉 빛 에너지를 전기적 에너지로 변환해 영상으로 만드는데, 카메라의 필름과 같은 역할을 합니다. KR20190086283A KR1020180004618A KR20180004618A KR20190086283A KR 20190086283 A KR20190086283 A KR 20190086283A KR 1020180004618 A KR1020180004618 A KR 1020180004618A KR 20180004618 A KR20180004618 A KR 20180004618A KR … 본 발명은 서로 다른 칼라의 칼라필터 사이에 틈이 형성되는 것을 방지하여 빛의 난반사를 억제할 수 있는 이미지 센서 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 평탄화막이 형성된 기판을 제공하는 단계와, 상기 평탄화막 상에 서로 이격된 복수의 제1 및 제2 칼라필터를 각각 . 본 발명의 기술적 사상에 따른 이미지 센서는, 제1 기판, 제1 기판의 전면에 형성되고 제1 도전층을 둘러싸는 제1 층간 . 이미지 센서는 서로 대향하는 제 1 면 및 제 2 면을 갖고, 복수 개의 픽셀 영역들을 포함하는 제 1 도전형의 반 씨모스 이미지 센서가 개시된다. 따라서, 이미지 센서의 품질은 곧 사진의 화질과 이어지는 셈이다 . KR100526465B1 KR10-2003-0079835A KR20030079835A KR100526465B1 KR 100526465 B1 KR100526465 B1 KR 100526465B1 KR 20030079835 A KR20030079835 A KR 20030079835A KR 100526465 B1 KR100526465 B1 KR 100526465B1 Authority KR … 2016 · 센서 종류와 원리 압력센서의 원리 압력센서의 이용 광 센서(photo sensor) 원리 스마트폰 액정 화면이나 냉장고 터치 스크린 작동 스마트폰이나 냉장고 등 가전 제품의 터치 스크린은 미세한 전류를 감지하여 작동하는 것으로써 인체는 이런 전류를 받아들이는 도체의 역할을 하므로 터치 스크린 .
이미지센서, 레벨링, 단차 실시예에 따른 이미지센서는 픽셀영역과 로직패턴 영역을 포함하는 기판; 상기 픽셀영역 상에 형성된 액티브 패턴; 및 상기 로직패턴 영역 상에 형성된 더미 패턴;을 포함하며, 상기 액티브 패턴과 더미 패턴이 형성된 기판에 대해 . KR20170094693A KR1020160015779A KR20160015779A KR20170094693A KR 20170094693 A KR20170094693 A KR 20170094693A KR 1020160015779 A KR1020160015779 A KR 1020160015779A KR 20160015779 A KR20160015779 A KR 20160015779A KR … Classifications. 실시예에 따른 이미지 센서는 복수의 픽셀들이 2차원 배열된 픽셀 어레이를 포함하는 이미지 센서에서, 상기 복수의 픽셀들 각각은, 기판에 형성된 광전변환소자; 상기 광전변환소자 일부와 중첩되고 상기 기판상에 형성된 전송 게이트; 및 상기 . KR102354420B1 KR1020140188109A KR20140188109A KR102354420B1 KR 102354420 B1 KR102354420 B1 KR 102354420B1 KR 1020140188109 A KR1020140188109 A KR 1020140188109A KR 20140188109 A KR20140188109 A KR 20140188109A KR 102354420 B1 KR102354420 … 이미지 센서(image sensor)가 제공된다. 이미지 센서(image sensor)가 제공된다. 3.그녀 X 그녀nbi
본 발명의 실시 예에 따른 이미지 센서 장치는 광 검출기, 비교기, 및 메모리 회로를 포함하는 디지털 픽셀, 상기 디지털 픽셀을 제어하도록 구성된 픽셀 드라이버, 및 상기 디지털 픽셀로부터 출력된 디지털 신호에 대한 디지털 신호 처리 동작을 수행하도록 구성된 디지털 로직 회로를 포함한다. 이미지 센서는 서로 대향하는 제1 면과 제2 면을 포함하는 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 상기 제1 면 상에 배치되고, 상기 제1 면에 수직한 제1 방향으로 연장되는 반도체 패턴; 상기 반도체 기판의 상기 제1 면으로부터 상기 반도체 기판 내부로 연장되는 전송 게이트 . 본 발명의 일 실시예는, 각각 2×2 매트릭스로 배열된 제1 내지 제4 픽셀 블럭을 갖는 복수의 확장된 베이어 패턴 블럭을 포함하며, 상기 제1 내지 제4 픽셀 블럭은 각각 2×2 매트릭스로 배열된 제1 내지 제4 픽셀을 포함하고, 상기 제1 및 제4 픽셀 블럭의 상기 제1 및 제4 픽셀은 녹색 광을 감지하도록 . 이미지 센서의 원리. 이 이미지 센서는, 복수의 픽셀들을 포함하는 제 1 기판; 상기 픽셀들의 각각에서 상기 제 1 기판 내에 형성된 광전변환부; 상기 제 1 기판 상에 배치되는 제 1 캐패시터; 및 상기 제 1 캐패시터와 이격되되 상기 제 1 캐패시터를 둘러싸는 차폐 구조물을 포함한다. [mV] 2.
SPAD를 이용한 응용회로 설계 시 고려할 점.28 HEVC 비디오 영상 포맷 (0) 2018. H — ELECTRICITY; H01 — BASIC ELECTRIC ELEMENTS; H01L — SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; H01L27/00 — Devices 여기서, 이미지센서(200)에 사용되는 기판(210)으로서, 예를 들면, CMOS 기판, 유리기판, 그라파이트(graphite) 기판, 산화알루미늄(Al 2 O 3) 베이스에 ITO를 적층한 기판 등이 사용될 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다. 이미지 센서, 포토다이오드, 트랜지스터 실시예에 따른 이미지 센서는, 수광 영역을 포함하는 반도체 기판; 상기 수광 영역 이외의 상기 반도체 기판에 배치된 트랜치; 상기 수광 영역에 형성된 포토다이오드; 상기 트랜치의 바닥면에 형성된 씨모스 회로; 상기 . · 이미지 센서는 피사체 정보를 읽어 전기적인 영상신호로 변환해주는 장치입니다. .
본 발명은 이미지 센서 픽셀 어레이에 관한 것으로, CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서에 있어서 광학 블랙 픽셀(OBP; Optical Black Pixel) 영역에 과잉 전하가 유입되지 않도록 하는 기술을 개시한다. 상기 이미지 센서는 기판, 기판 내에 형성된 분리 절연막, 분리 절연막 하부에, 다층으로 형성된 제1 도전형의 분리 불순물 영역, 및 기판 내에 다층으로 형성된 제2 도전형의 불순물 영역을 포함하는 포토 다이오드를 포함한다. 이미지센서, 씨모스 … 이미지 센서, 픽셀, 광전변환소자, 필 팩터, 웰 전위 KR100766497B1 - 이미지 센서 - Google Patents 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR100766497B1. … 본 발명에 따른 이미지 센서는 서로 대향되는 제1면과 제2면을 포함하는 기판, 상기 기판 내에 배치되며 서로 인접하는 광전 변환부 및 전하 저장부, 상기 제1면 상에 배치되며 상기 전하 저장부와 중첩되는 차광 패턴, 및 상기 차광 패턴 상의 저굴절 패턴을 포함할 수 있다. KR100312278B1 - 이미지센서 . 아래 두 그림은 이미지 센서의 구성을 간단히 도식화한 것입니다. 본 기술은 정밀도가 향상된 위상차 검출 픽셀을 구비한 이미지 센서에 관한 것으로, 복수의 픽셀들이 2차원 배열된 이미지 센서에 있어서, 상기 복수의 픽셀들 중 적어도 어느 하나의 픽셀은, 기판에 형성된 광전변환층; 상기 광전변환층 상부에 형성된 컬러필터층; 제1투광영역을 갖고, 상기 컬러 . 본 발명은 sog층 이용하지 않고 평탄화를 이룰 수 있어 결함 발생을 방지할 수 있는 이미지 센서 제조 방법에 관한 것으로, 소정의 하부구조 형성이 완료된 반도체 기판 상부에 연결배선 패턴을 형성하는 단계; 상기 연결배선 패턴 형성이 완료된 전체 구조 상에 소수성 물질로 이루어지는 제1 평탄화 . 이미지 센서 제조 방법은 반도체 기판 내부에 제 1 도전형 불순물이 도핑된 제 1 채널 영역을 형성하고, 제 1 채널 영역 상부에 제 2 도전형 불순물의 제 2 채널 영역을 형성하고, 제 2 채널 영역 상부에 할로겐족의 불순물을 도핑시켜 . 이미지 센서는 복수의 광 감지 소자들 및 후면 보호 패턴을 포함한다. 씨모스 이미지 센서는, p 도전형 반도체 기판 내에 형성되어 입사광에 대응하는 전하를 축적하는 포토 다이오드; 상기 포토 다이오드에 축적된 광전하를 전송받기 위한 제1 부유확산영역; 상기 포토 다이오드에 축적된 전하를 상기 제1 부유확산영역으로 전송하는 제1 . 2017 · ifm - automation made in Germany 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서는, 복수의 픽셀 영역들을 제공하며, 상기 복수의 픽셀 영역들 각각은 빛에 반응하여 전하를 생성하는 포토 다이오드를 갖는 반도체 기판, 및 상기 반도체 기판 상에 배치되며, 상기 포토 다이오드가 생성한 전하를 저장하는 스토리지 트랜지스터, 및 상기 . 영화 소품 2021 · 본 발명은 이미지 센서의 상부로 렌즈를 빠르고 쉽게 체결하고 포커싱을 할 수 있게 함으로서 생산성 및 작업성과 품질을 크게 향상시키도록 하기 위한 이미지 센서 모듈장치를 제공함에 있다. … 이물로부터 이미지 센서를 보호하는 커버의 광학특성은 유지하면서도 보호 커버의 제조공정은 단순화할 수 있도록 한 이미지센서 모듈 및 그 제조방법에 관한 것으로서, (a) 이미지 센서 칩을 실장하기 위한 기판을 마련하는 공정; (b) 마련된 기판상에 이미지 센서 칩을 실장하는 공정; (c) 상기 . 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR101679598B1. 13. KR101305608B1 KR1020110122122A KR20110122122A KR101305608B1 KR 101305608 B1 KR101305608 B1 KR 101305608B1 KR 1020110122122 A KR1020110122122 A KR 1020110122122A KR 20110122122 A KR20110122122 A KR 20110122122A KR 101305608 B1 KR101305608 … 이미지 센서(4500)는 통신 링크를 통해서 프로세서 장치(4300)와 통신할 수 있다. H01L31/04 — Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either 개시된 이미지 센서는, 기판과 기판의 제1 면에 마련된 복수의 박형 렌즈 및 기판의 제2 면에 마련된 복수의 광 감지셀을 포함한다. KR20210047008A - 이미지 센서 - Google Patents
2021 · 본 발명은 이미지 센서의 상부로 렌즈를 빠르고 쉽게 체결하고 포커싱을 할 수 있게 함으로서 생산성 및 작업성과 품질을 크게 향상시키도록 하기 위한 이미지 센서 모듈장치를 제공함에 있다. … 이물로부터 이미지 센서를 보호하는 커버의 광학특성은 유지하면서도 보호 커버의 제조공정은 단순화할 수 있도록 한 이미지센서 모듈 및 그 제조방법에 관한 것으로서, (a) 이미지 센서 칩을 실장하기 위한 기판을 마련하는 공정; (b) 마련된 기판상에 이미지 센서 칩을 실장하는 공정; (c) 상기 . 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR101679598B1. 13. KR101305608B1 KR1020110122122A KR20110122122A KR101305608B1 KR 101305608 B1 KR101305608 B1 KR 101305608B1 KR 1020110122122 A KR1020110122122 A KR 1020110122122A KR 20110122122 A KR20110122122 A KR 20110122122A KR 101305608 B1 KR101305608 … 이미지 센서(4500)는 통신 링크를 통해서 프로세서 장치(4300)와 통신할 수 있다. H01L31/04 — Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either 개시된 이미지 센서는, 기판과 기판의 제1 면에 마련된 복수의 박형 렌즈 및 기판의 제2 면에 마련된 복수의 광 감지셀을 포함한다.
메르세데스 아르카나 265 HEVC 개요 (0) 2018. 이미지 센서 및 그 제조 방법이 제공된다. 본 발명에 따른 이미지센서 패키지 및 그 제조방법은 이미지센서와 디바이스를 스택 구조로 구성한 후 열경화성 수지로 몰드하여 패키징함으로써, 상기 디바이스가 차지하는 면적을 용이하게 축소할 수 있고, 또한 종래의 이미지센서 . 이미지 센서는, 복수의 화소 영역들과, 적어도 한 쌍의 더미 화소 영역을 포함하는 기판, 상기 복수의 화소 영역들 중 인접한 두 개의 화소 영역들 사이에 배치되며, 제1 도전층을 포함하는 화소 분리 구조물, 상기 적어도 한 쌍의 더미 화소 영역 사이에 배치되며, 상기 화소 . 2015 · CMOS 센서의 원리. 본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로, 픽셀의 크로스 토크를 추정할 수 있도록 하는 기술이다.
본 발명은 cmos 공정으로 제조되는 xy 어드레스형 고체 촬상 장치에 관한 것으로서, 소자 크기가 작고, 개구율이 넓으며, ktc 잡음을 저감할 수 있는 xy 어드레스형 고체 촬상 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. KR20160112775A KR1020150039049A KR20150039049A KR20160112775A KR 20160112775 A KR20160112775 A KR 20160112775A KR 1020150039049 A KR1020150039049 A KR 1020150039049A KR 20150039049 A KR20150039049 A KR 20150039049A KR … 본 개시의 일 실시예는, 분리 영역에 의해 분리된 복수의 픽셀 영역을 포함하며, 제1 면 및 광이 입사되고 상기 제1 면과 반대에 위치한 제2 면을 갖는 반도체 기판과; 상기 반도체 기판의 제2 면 상에 상기 복수의 픽셀 영역에 각각 대응되도록 배치된 복수의 컬러 필터과; 상기 반도체 기판의 제2 면 . CMOS 이미지 센서는 광전자 변환부에 축적된 전하를 전하 검출부에 전송하는 전하 전송부를 포함하는 단위 화소가 메트릭스 형태로 배열된 화소 배열부, 광전자 변환부의 전하 축적 기간 중 일부 기간동안 전하 전송부의 전위가 음이 되는 . 이 매립형 포토 다이오드 PD(m,n) 각각은, 제1 도전형의 제1 반도체 영역(10), 제1 반도체 영역상에 형성되고 제2 도전형의 불순물 농도가 낮은 제2 반도체 영역(20), 제2 반도체 영역의 표면을 . 이러한 본 발명은 나사산이 없이 원통체의 베이스와 렌즈를 장착한 렌즈홀더를 끼움 결합함으로서 렌즈 . A broad portfolio of industry leading image sensors that satisfy requirements of every possible end application from wearables and consumer electronics to demanding industrial and automotive applications.
. 센서로세계로미래로. 본 발명에 따르면, 씨모스 이미지 센서의 화상 신호의 왜곡을 억제할 수 있다. 이미지 센서는 서로 대향하는 제 1 면 및 제 2 면을 가지며, 복수 개의 픽셀 영역들을 포함하는 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 상기 픽셀 영역들에 각각 제공된 광전 변환 영역들; 상기 반도체 기판의 상기 제 1 면에 일정 간격으로 이격되어 제공된 격자 패턴들로서, 상기 . 이미지 센서가 제공된다. [mV/lux … H — ELECTRICITY; H01 — ELECTRIC ELEMENTS; H01L — SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10; H01L27/00 — Devices consisting of a plurality of semiconductor or other so 3차원 적층구조의 이미지센서 US9613933B2 (en) 2014-03-05: 2017-04-04: Intel Corporation: Package structure to enhance yield of TMI interconnections US10154211B2 (en) * 2014-11-20: 2018-12-11: Teledyne Dalsa B. KR100526465B1 - 이미지 센서 제조 방법 - Google Patents
2021 · 이미지센서 업계 1위를 다투는 삼성과 소니의 치열한 경쟁이 향후 어떻게 전개될 지 기대됩니다. 본 발명은 구형 이미지 센서에 관한 것으로, 외부 광량을 조절하는 조리개와; 상기 조리개를 통한 외부 광이 입사되는 구형 구조물과; 상기 구형 구조물에 입사된 광을 감지하며, 상기 구형 구조물의 곡면에 형성되어 있는 이미지 센서 구조물을 포함하여 구성된 구형 이미지 센서로 구성된다. Saturation Level: Measured minimum output level at 100 lux illumination for exposure time 1/30 sec. 본 기술은 이미지 센서에 관한 것으로, 실시예에 따른 이미지 센서는 복수의 단위픽셀그룹; 및 상기 복수의 단위픽셀그룹 사이를 절연하기 위한 분리구조물을 포함할 수 있으며, 상기 분리구조물은, 기판상에 형성된 제1도전형의 도전층; 및 상기 도전층에 형성되고 상기 복수의 단위픽셀그룹 . Sensitivity: Measured average output at 25% of saturation level illumination for exposure time 1/30 sec. Circuit controller for controlling a pixel circuit and a method of controlling a pixel circuit .협박 이메일을 받았습니다. 클리앙 - 야동 협박 - 9Lx7G5U
These CMOS (Complementary metal–oxide–semiconductor ) imaging sensors serve a broad range of applications and markets including machine vision, medical electronics, broadcast equipment, traffic management, scientific instrumentation and photography. 이미지 센서 Download PDF Info Publication number KR102354420B1. 이미지 센서가 개시된다. 이미지 센서 패키지가 제공된다. 본 발명의 이미지 센서 모듈은, 상기 렌즈 광학부와 수평 상태로 위치하는 하우징의 저면에 장착되는 인쇄회로기판; 상기 인쇄회로기판의 상면에 와이어 본딩 방식에 의해서 접착 고정되며, 상기 렌즈 . 본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로, 화소들이 곡선 배치되어 있는 곡선형 이미지 센서 구조로, 인간의 망막과 같이 빛을 받는 센서의 표면이 곡선을 가짐으로서 수차와 화상의 왜곡을 줄이고 렌즈부를 간소화할 수 있다.
KR20080105812A KR1020070053867A KR20070053867A KR20080105812A KR 20080105812 A KR20080105812 A KR 20080105812A KR … 실시 예는 복수의 단위 화소들을 포함하며, 상기 복수의 단위 화소들은 행과 열로 이루어진 매트릭스 형태로 배치되는 화소 어레이, 상기 열에 속하는 단위 화소들 중에서 선택되는 2개의 단위 화소들 각각으로 출력되는 신호를 서로 다른 이득으로 증폭하고, 증폭된 신호들의 평균을 산출한 결과에 . 본 발명의 실시예에 따른 이미지센서는 기판상에 형성된 씨모스 회로(circuitry); 상기 기판상에 형성된 하부배선; 상기 하부배선 상에 형성된 전도성 고분자; 및 상기 전도성 고분자 상에 형성된 투명전극;을 포함하는 것을 특징한다. 참고로, 여기 있는 내용만 … CMOS 이미지 센서(CMOS image sensor) 및 그 구동 방법이 제공된다. 이미지 센서 제조 방법 Download PDF Info Publication number KR100526465B1. 11:58. 본 발명은 프리즘 등의 광경로 변경수단이 일체로 장착된 이미지 센서 모듈에 관한 것이다.
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